Arto Javanainen

Yliopistotutkija

Yksikkö

Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta

Laitos / Vastuualue

Fysiikan laitos

Huonenumero

Y FL110

Sähköposti

arto.javanainen@jyu.fi

Matkapuhelin

+358406146881

Postiosoite

Survontie 9

Tieteenalat

114 Fysiikka

Tutkimuskuvaus

Nyky-yhteiskunnan riippuvuus elektronisista järjestelmistä vaatii elektroniikkakomponenttien ja materiaalien säteilynkeston tutkimista. Näin saadaan luotettavampia järjestelmiä sekä satelliitteihin että maanpinnalle. Näissä ympäristöissä säteilyilmiöt ovat ja tulevat olemaan merkittäviä järjestelmien luotettavuuden kannalta.

Julkaisut

Julkaisu

2025

Effects of Incident Angle on Single-Event Leakage Current Degradation in Heavy-Ion Irradiated 1800 V and 4500 V SiC Power MOSFETs

IEEE Transactions on Nuclear Science.

Sengupta, A.

Martinella, C.

Ball, D. R.

Niskanen, K.

Senarath, A. S.

Islam, S.

Harris, P. M.

Hutson, J. M.

Osheroff, J. M.

Sternberg, A. L.

Kettunen, H.

Kosier, S. L.

Grossner, U.

Javanainen, A.

Galloway, K. F.

Schrimpf, R. D.

Witulski, A. F.

Julkaisu

2025

Gate Current Stress for Detecting Neutron-Induced Degradation in SiC Power MOSFETs

IEEE International Reliability Physics Symposium.

Niskanen, K.

Javanainen, A.

Kettunen, H.

Cazzaniga, C.

Kastriotou, M.

Frost, C.

Julkaisu

2025

Proton Energy Dependence of SiC Power MOSFET Single Event Burnout Sensitivity

IEEE Transactions on Nuclear Science.

Niskanen, K.

Javanainen, A.

Martinella, C.

Hajdas, W.

Grossner, U.

Kettunen, H.

Julkaisu

2025

Temperature Dependence of Heavy Ion Induced Leakage Current in SiC Power MOSFETs

IEEE Transactions on Nuclear Science.

Niskanen, K.

Martinella, C.

Sengupta, A.

Harris, P. M.

Witulski, A. F.

Kettunen, H.

Javanainen, A.

Julkaisu

2023

Effect of 20 MeV Electron Radiation on Long Term Reliability of SiC Power MOSFETs

IEEE Transactions on Nuclear Science.

Niskanen, Kimmo

Kettunen, Heikki

Lahti, Mikko

Rossi, Mikko

Jaatinen, Jukka

Söderström, Daniel

Javanainen, Arto

Julkaisu

2023

Heavy-Ion-Induced Defects in Degraded SiC Power MOSFETs

Materials Science Forum.

Martinella, Corinna

Bathen, Marianne

Javanainen, Arto

Grossner, Ulrike

Julkaisu

2023

Proton Direct Ionization in Sub-Micron Technologies : Test Methodologies and Modelling

IEEE Transactions on Nuclear Science.

Lüdeke, Sascha

Cardenas, Gabriel Duran

Hajdas, Wojtek

Jaatinen, Jukka

Kettunen, Heikki

Poivey, Christian

Rossi, Mikko

Tanios, Bendy

Vogiatzi Stergiani, Marina

Javanainen, Arto

Julkaisu

2023

Proton direct ionization upsets at tens of MeV

IEEE Transactions on Nuclear Science.

Coronetti, Andrea

Alia, Ruben Garcia

Lucsanyi, David

Wang, Jialei

Saigne, Frederic

Javanainen, Arto

Leroux, Paul

Prinzie, Jeffrey

Julkaisu

2023

Proton Irradiation-Induced Reliability Degradation of SiC Power MOSFET

IEEE Transactions on Nuclear Science.

Niskanen, Kimmo

Kettunen, Heikki

Söderström, Daniel

Rossi, Mikko

Jaatinen, Jukka

Javanainen, Arto

Julkaisu

2023

Technology Dependence of Stuck Bits and Single Event Upsets in 110, 72, and 63-nm SDRAMs

IEEE Transactions on Nuclear Science.

Söderström, Daniel

Matana Luza, Lucas

Martins Pio De Mattos, André

Gil, Thierry

Kettunen, Heikki

Niskanen, Kimmo

Javanainen, Arto

Dilillo, Luigi