Heikki Kettunen

Tutkimusinsinööri (opetutk)

Yksikkö

Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta

Laitos / Vastuualue

Fysiikan laitos

Huonenumero

Y FL123

Sähköposti

heikki.i.kettunen@jyu.fi

Matkapuhelin

+358408054086

Postiosoite

Survontie 9

Tieteenalat

114 Fysiikka

Julkaisut

Julkaisu

2025

Effects of Incident Angle on Single-Event Leakage Current Degradation in Heavy-Ion Irradiated 1800 V and 4500 V SiC Power MOSFETs

IEEE Transactions on Nuclear Science.

Sengupta, A.

Martinella, C.

Ball, D. R.

Niskanen, K.

Senarath, A. S.

Islam, S.

Harris, P. M.

Hutson, J. M.

Osheroff, J. M.

Sternberg, A. L.

Kettunen, H.

Kosier, S. L.

Grossner, U.

Javanainen, A.

Galloway, K. F.

Schrimpf, R. D.

Witulski, A. F.

Julkaisu

2025

Gate Current Stress for Detecting Neutron-Induced Degradation in SiC Power MOSFETs

IEEE International Reliability Physics Symposium.

Niskanen, K.

Javanainen, A.

Kettunen, H.

Cazzaniga, C.

Kastriotou, M.

Frost, C.

Julkaisu

2025

Heavy-Ion Testing on Power MOSFETs at Gate Switching Mode for COTS Up-Screening

IEEE Transactions on Nuclear Science.

Bae, Dongwoo

Lee, Woojun

Lim, Jangkwon

Kettunen, Heikki

Kim, Woongki

Lee, Hyun-jin

Lee, Seungmok

Woo, Seungjoo

Cho, Changhee

Kih, Joongsik

Kim, Kiseog

Yong, Sang-soon

Kim, Youngboo

Julkaisu

2025

Multiple Cell Upsets in the Configuration RAM of a 7-nm FinFET SoC under Heavy Ions

IEEE Transactions on Nuclear Science.

Mayo, Jorge

Durán, Cristina

Cueto-Rodríguez, Juan

Franco, Francisco J.

Kettunen, Heikki

Julkaisu

2025

Proton Energy Dependence of SiC Power MOSFET Single Event Burnout Sensitivity

IEEE Transactions on Nuclear Science.

Niskanen, K.

Javanainen, A.

Martinella, C.

Hajdas, W.

Grossner, U.

Kettunen, H.

Julkaisu

2025

Temperature Dependence of Heavy Ion Induced Leakage Current in SiC Power MOSFETs

IEEE Transactions on Nuclear Science.

Niskanen, K.

Martinella, C.

Sengupta, A.

Harris, P. M.

Witulski, A. F.

Kettunen, H.

Javanainen, A.

Julkaisu

2024

Methods for Proton Direct Ionization SEU Characterization and Orbital Error-Rate Estimation

IEEE Transactions on Nuclear Science.

Glorieux, Maximilien

Bonnoit, Thierry

Lange, Thomas

Gaillard, Remi

Nofal, Issam

Artola, Laurent

Poivey, Christian

Levacq, David

Rey, Romain

Kettunen, Heikki

Polo, Cesar Boatella

Julkaisu

2023

Effect of 20 MeV Electron Radiation on Long Term Reliability of SiC Power MOSFETs

IEEE Transactions on Nuclear Science.

Niskanen, Kimmo

Kettunen, Heikki

Lahti, Mikko

Rossi, Mikko

Jaatinen, Jukka

Söderström, Daniel

Javanainen, Arto

Julkaisu

2023

PIPS Diode Test Setup for Heavy Ion Beam Spectral Characterization

IEEE Transactions on Nuclear Science.

Borel, Thomas

Costantino, Alessandra

Muschitiello, Michele

Kettunen, Heikki

Standaert, Laurent

Santin, Giovanni

Pinto, Marco

Rizzo, Marta

Pesce, Anastasia

Ferlet-Cavrois, Véronique

Julkaisu

2023

Proton Direct Ionization in Sub-Micron Technologies : Test Methodologies and Modelling

IEEE Transactions on Nuclear Science.

Lüdeke, Sascha

Cardenas, Gabriel Duran

Hajdas, Wojtek

Jaatinen, Jukka

Kettunen, Heikki

Poivey, Christian

Rossi, Mikko

Tanios, Bendy

Vogiatzi Stergiani, Marina

Javanainen, Arto